Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №1

Материалы электронной техники




МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
Название Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
Авторы В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский, М. Л. Максимчук
Информация об авторах В. И. Таланин, кандидат физ.мат. наук, доцент, профессор, И. Е. Таланин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой, А. И. Мазурский, магистр, М. Л. Максимчук, магистр, (Классический приватный университет, Украина, 69002, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 70Б).
Название Влияние параметров подачи реагентов на температуру кремниевых стержней в Сименс-процессе
Авторы В. А. Гаврилов, П. М. Гаврилов, П. П. Турчин
Информация об авторах В. А. Гаврилов, кандидат техн. наук, советник генерального директора, e-mail: vic@mcc.krasnoyarsk.su, П. М. Гаврилов, доктор техн. наук, генеральный директор, (ФГУП «Горно-химический комбинат», Россия, 662972, Красноярский край, г. Железногорск , ул. Ленина, д. 53); П. П. Турчин, кандидат физ.-мат. наук, доцент, ФГОУ ВПО «Сибирский федеральный университет», 660041, г. Красноярск, пр-т Свободный, д. 79, тел.: 8-(391)-244-41-32.
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
Название Влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства кристаллов группы лантан-галлиевого силиката
Авторы О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Н. А. Симинел
Информация об авторах О. А. Бузанов, кандидат техн. наук, главный технолог, ОАО «Фомос-Материалс», 119049, г. Москва, ул. Буженинова, д. 16.; Н. С. Козлова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, e-mail: kozlova_nina@mail.ru, Е. В. Забелина, младший научный сотрудник., А. П. Козлова, аспирант, e-mail: anna_kozlova_2009@mail.ru, Н. А. Симинел, студент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский Пр-т, д. 4).
Название О параметрах активационных процессов в алмазе, кремнии и германии
Автор М. Н. Магомедов
Информация об авторе М. Н. Магомедов, Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра РАН, 367030, г. Махачкала, пр-т Шамиля, д. 39-а, e-mail: mahmag@iwt.ru.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И МАТЕРИАЛОВ
Название Аспекты выбора размеров камеры реактора для роста поликристаллического кремния
Авторы Д. С. Бровин, А. А. Ловцюс, М. Э. Рудинский
Информация об авторах Д. С. Бровин, инженер-физик, e-mail: brovin@softimpact.ru, А. А. Ловцюс, кандидат техн. наук, руководитель группы «Эпитаксиальный рост кремния», e-mail: lovtsus@softimpact.ru, тел.: (812) 703-15-22, М. Э. Рудинский, студент СПБГПУ, 195251, г. С.-Петербург, ул. Политехническая, д. 29, корп. 3, стажер, (ООО «Софт-Импакт», 194156, г. С-Петербург, пр-т Энгельса, д. 27, а/я 83).
Название Моделирование процессов зарождения аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов
Авторы Б. М. Синельников, В. А. Тарала
Информация об авторах Б. М. Синельников, доктор хим. наук, профессор, ректор, зав каф. НТМЭТ, ГОУ ВПО «Северо-кавказский государственный университет», 355029, г. Ставрополь, пр-т. Кулакова д. 2; В. А. Тарала, кандидат хим. наук, старший научный сотрудник, Южный научный центр РАН, 344006, г. Ростов-на-Дону, пр-т Чехова, д. 41, e-mail: Vitaly-Tarala@yandex.ru.
НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ
Название Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний–углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии
Авторы М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин
Информация об авторах Ю. Н. Пархоменко, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4; директор ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5; М. Д. Малинкович, кандидат физ.-мат. наук, доцент, e-mail: malinkovich@yandex.ru, Д. С. Поляков, инженер, М. Л. Шупегин, кандидат техн. наук, доцент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4).
Название Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs
Авторы Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова
Информация об авторах Р. Х. Акчурин, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Материалы микроопто- и наноэлектроники», Н. Т. Вагапова, аспирант, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ им. М. В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Исследование структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей: проблема оценки размера зерен
Автор А. В. Приходько
Информация об авторе А. В. Приходько, кандидат физ.-мат. наук, доцент, Запорожский национальный университет, Украина, 69600, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 66, e-mail: avp1768@rambler.ru, Тел.: (38061) 2891243.
Название Термочувствительные свойства сегнетоэлектрических фаз PbA0,5Nb0,5O3 (A = Fe, In, Co, Mn)
Авторы В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов, Е. В. Савинкина, И. А. Замилацков
Информация об авторах В. Н. Цыганков, кандидат хим. наук, доцент, В. В. Сафонов, кандидат хим. наук, профессор, Е. В. Савинкина, доктор хим. наук, доцент, И. А. Замилацков, младший научный сотрудник, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова (МИТХТ им. М.В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
АТОМНАЯ СТРУКТУРА И МЕТОДЫ СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств
Авторы В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова
Информация об авторах В. Т. Бублик, доктор физ.-мат. наук, профессор, Е. А. Выговская, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, Н. Ю. Табачкова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, О. В. Торопова, научный сотрудник, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4); А. И. Воронин, инженер, В. Ф. Пономарев, кандидат техн. наук, начальник лаборатории, (ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45-Б).
Название Получение монокристаллических ориентированных субмикронных структур из пленок Bi и Bi—Sb на подложках SiO2/Si
Авторы А. И. Ильин, С. В. Дубонос, А. В. Черных
Информация об авторах А. И. Ильин, e-mail: ilin@ipmt-hpm.ac.ru, С. В. Дубонос, А. В. Черных, (Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 6).
Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №1