Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #1

Материалы электронной техники




МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
ArticleName Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
ArticleAuthors В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский, М. Л. Максимчук
ArticleAuthorsData В. И. Таланин, кандидат физ.мат. наук, доцент, профессор, И. Е. Таланин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой, А. И. Мазурский, магистр, М. Л. Максимчук, магистр, (Классический приватный университет, Украина, 69002, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 70Б).
ArticleName Влияние параметров подачи реагентов на температуру кремниевых стержней в Сименс-процессе
ArticleAuthors В. А. Гаврилов, П. М. Гаврилов, П. П. Турчин
ArticleAuthorsData В. А. Гаврилов, кандидат техн. наук, советник генерального директора, e-mail: vic@mcc.krasnoyarsk.su, П. М. Гаврилов, доктор техн. наук, генеральный директор, (ФГУП «Горно-химический комбинат», Россия, 662972, Красноярский край, г. Железногорск , ул. Ленина, д. 53); П. П. Турчин, кандидат физ.-мат. наук, доцент, ФГОУ ВПО «Сибирский федеральный университет», 660041, г. Красноярск, пр-т Свободный, д. 79, тел.: 8-(391)-244-41-32.
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
ArticleName Влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства кристаллов группы лантан-галлиевого силиката
ArticleAuthors О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Н. А. Симинел
ArticleAuthorsData О. А. Бузанов, кандидат техн. наук, главный технолог, ОАО «Фомос-Материалс», 119049, г. Москва, ул. Буженинова, д. 16.; Н. С. Козлова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, e-mail: kozlova_nina@mail.ru, Е. В. Забелина, младший научный сотрудник., А. П. Козлова, аспирант, e-mail: anna_kozlova_2009@mail.ru, Н. А. Симинел, студент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский Пр-т, д. 4).
ArticleName О параметрах активационных процессов в алмазе, кремнии и германии
ArticleAuthor М. Н. Магомедов
ArticleAuthorData М. Н. Магомедов, Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра РАН, 367030, г. Махачкала, пр-т Шамиля, д. 39-а, e-mail: mahmag@iwt.ru.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И МАТЕРИАЛОВ
ArticleName Аспекты выбора размеров камеры реактора для роста поликристаллического кремния
ArticleAuthors Д. С. Бровин, А. А. Ловцюс, М. Э. Рудинский
ArticleAuthorsData Д. С. Бровин, инженер-физик, e-mail: brovin@softimpact.ru, А. А. Ловцюс, кандидат техн. наук, руководитель группы «Эпитаксиальный рост кремния», e-mail: lovtsus@softimpact.ru, тел.: (812) 703-15-22, М. Э. Рудинский, студент СПБГПУ, 195251, г. С.-Петербург, ул. Политехническая, д. 29, корп. 3, стажер, (ООО «Софт-Импакт», 194156, г. С-Петербург, пр-т Энгельса, д. 27, а/я 83).
ArticleName Моделирование процессов зарождения аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов
ArticleAuthors Б. М. Синельников, В. А. Тарала
ArticleAuthorsData Б. М. Синельников, доктор хим. наук, профессор, ректор, зав каф. НТМЭТ, ГОУ ВПО «Северо-кавказский государственный университет», 355029, г. Ставрополь, пр-т. Кулакова д. 2; В. А. Тарала, кандидат хим. наук, старший научный сотрудник, Южный научный центр РАН, 344006, г. Ростов-на-Дону, пр-т Чехова, д. 41, e-mail: Vitaly-Tarala@yandex.ru.
НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ
ArticleName Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний–углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии
ArticleAuthors М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин
ArticleAuthorsData Ю. Н. Пархоменко, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4; директор ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5; М. Д. Малинкович, кандидат физ.-мат. наук, доцент, e-mail: malinkovich@yandex.ru, Д. С. Поляков, инженер, М. Л. Шупегин, кандидат техн. наук, доцент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4).
ArticleName Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs
ArticleAuthors Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова
ArticleAuthorsData Р. Х. Акчурин, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Материалы микроопто- и наноэлектроники», Н. Т. Вагапова, аспирант, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ им. М. В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
ArticleName Исследование структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей: проблема оценки размера зерен
ArticleAuthor А. В. Приходько
ArticleAuthorData А. В. Приходько, кандидат физ.-мат. наук, доцент, Запорожский национальный университет, Украина, 69600, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 66, e-mail: avp1768@rambler.ru, Тел.: (38061) 2891243.
ArticleName Термочувствительные свойства сегнетоэлектрических фаз PbA0,5Nb0,5O3 (A = Fe, In, Co, Mn)
ArticleAuthors В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов, Е. В. Савинкина, И. А. Замилацков
ArticleAuthorsData В. Н. Цыганков, кандидат хим. наук, доцент, В. В. Сафонов, кандидат хим. наук, профессор, Е. В. Савинкина, доктор хим. наук, доцент, И. А. Замилацков, младший научный сотрудник, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова (МИТХТ им. М.В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
АТОМНАЯ СТРУКТУРА И МЕТОДЫ СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ArticleName Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi2Te2,7Se0,3 на анизотропию физических свойств
ArticleAuthors В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская, В. Ф. Пономарев, Н. Ю. Табачкова, О. В. Торопова
ArticleAuthorsData В. Т. Бублик, доктор физ.-мат. наук, профессор, Е. А. Выговская, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, Н. Ю. Табачкова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, О. В. Торопова, научный сотрудник, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 4); А. И. Воронин, инженер, В. Ф. Пономарев, кандидат техн. наук, начальник лаборатории, (ООО НПО «Кристалл», 141060, Московская область, г. Королев, ул. Станционная, д. 45-Б).
ArticleName Получение монокристаллических ориентированных субмикронных структур из пленок Bi и Bi—Sb на подложках SiO2/Si
ArticleAuthors А. И. Ильин, С. В. Дубонос, А. В. Черных
ArticleAuthorsData А. И. Ильин, e-mail: ilin@ipmt-hpm.ac.ru, С. В. Дубонос, А. В. Черных, (Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 6).
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #1