• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #1 →  Back

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И МАТЕРИАЛОВ
ArticleName Моделирование процессов зарождения аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов
ArticleAuthor Б. М. Синельников, В. А. Тарала
ArticleAuthorData Б. М. Синельников, доктор хим. наук, профессор, ректор, зав каф. НТМЭТ, ГОУ ВПО «Северо-кавказский государственный университет», 355029, г. Ставрополь, пр-т. Кулакова д. 2; В. А. Тарала, кандидат хим. наук, старший научный сотрудник, Южный научный центр РАН, 344006, г. Ростов-на-Дону, пр-т Чехова, д. 41, e-mail: Vitaly-Tarala@yandex.ru.
Abstract Рассмотрено моделирование процессов зарождения и роста аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов на поверхностях, ориентированных вдоль кристаллографического направления (100). На основании расчета потенциальных энергий кластеров углерода, выполненного при помощи современных полуэмпирических квантово-химических методов компьютерной химии, проанализированы механизмы формирования монослоев и оценено влияние температуры и давления на микроструктуру пленок алмазоподобных материалов.
keywords Моделирование, поверхность, сверхструктура, зародыши.
References 1. Yuan, C. Effect of Carbonization on the Growth of 3C-SiC on Si (111) by Silacyclobutane / C. Yuan, A. J. Steckl, M. J. Loboda // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - P. 3000—3002.
2. Tranchant, N. Single crystal CVD diamond growth and characterizations / N. Tranchant, D. Tromson, Z. Remes, L. Rocha, M. Nesladec, P. Bergonozo // Mater. Res. Soс. - 2007. - V. 956. - P. 177—182.
3. Kopidakis, G. Atomic and electronic structure of crystalline- amorphous carbon interfaces / G. Kopidakis, I. N. Remediakis, M. G. Fyta, P. C. Kelires // Diamond and Related Mater. - 2007. - V. 16. - P. 1875—1881.
4. Li, X. Highly oriented diamond films grown at high growth rate / X. Li, R. Collazo, Z. Sitar // Mater. Res. Soс. - 2007. - V. 956. P. 171—176.
5. Wagner, G. Influence of growth parameters on the residual strain in 3C-SiC epitaxial layers on (001) silicon / G. Wagner, J. Schwarzkopf, M. Schmidbauer, R. Formari // Mater. Sci. Forum. - 2009. - V. 600-03(1). - P 223—226.
6. Nagasawa, H. Optical and electrical characterization of free standing 3C-SiC films grown on undulant 6-inch Si substrates / H. Nagasawa, K. Yagi, T. Kawahara // Proc. of the 13th Internat. Conf. of Crystal Growth. - 2001. - Р. 103—107.
7. Polychroniadis, E. Some recent progress in 3C-SiC growth. A TEM characterization / E. Polychroniadis, A. Andreadou, A. Mantzari // J. Optoelectron. and Adv. Mater. - 2004. - V 6, N.1. - Р. 47—52.
8. Соловьев, М. Е. Компьютерная химия / М. Е. Соловьев, М. М. Соловьев - М. : Солон?пресс, 2005. - 536 с..
9. Hara, S. Elemental composition of β-SiC(001) surface phases studied by medium energy ion scattering / S. Hara, W. F. Slijkerman, J. F. Van-der-Veen // Surface Sci. Lett. - 1990. - V. 231. - P. 196—200.
10. Bermudez, V. Preparation and charachterization of carbon- terminated β-SiC(001) surfaces / V. Bermudez, R. Kaplan // Phys. Rev. - 1991. - V. 44, N 20 - P. 11149—11158.
11. Dayan, M. The β-SiC(001) surface studied by low energy electron diffraction, auger electron spectroscopy, and electron energy loss spectra / M. Dayan // J. Vac. Sci. Technol. - 1986. - V. 4, N 1. - P. 38—45.
12. Bellina, J. Surface modification strategies for (100)3C- SiC / J. Bellina, J. Ferrante, M. Zeller // Ibid. ? 1986. - V. 4, N 3. - P. 1992—1995.
13. Kaplan, R. Reduction of SiC surface oxides by a Ga molecular beam: LEED and electron spectroscopy studies / R. Kaplan, T. M. Parrill // Surface Sci. - 1986. - V. 165. - P. 45—52.
14. Powers, J. M. Structural analysis of the β-SiC(100)-(2x1) surface reconstruction by automated tensor LEED / J. M. Powers, A. Wander, M. A. Van Hove, G. A. Somorjai // Ibid. - 1992. - V. 260. - P. 7—10.
15. Yeom, H. W. Atomic and electronic-band sructures of anomalous carbon dimers on 3C-SiC(001)-c(2x2) / H. W. Yeom, M. Shimomura, J. Kitamura, S. Hara, K. Tono, I. Matsuda, B. S. Mun, W. A. Huff, S. Kono, T. Ohta, S. Yoshida, H. Okushi, K. Kajimura, C. S. Fadley // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V. 83, N 8. - P. 1640—1643.
16. Badziag, P. Energetics if the c(2x2) reconstruction of the β-SiC(100) surface / P. Badziag // Phys. Rev. B. - 1991. - V. 44, N 20. - P. 11143—11148.
17. Yan, H. Atomic structure of β-SiC(100) surfaces: a study using the Tersoff potential / H. Yan, X. Hu, H. Jonsson // Surface Sci. - 1994. - V. 316. - P. 181—188.
18. Craig, B. I. The structures of small hydrocarbons adsorbed on Si(001) and Si terminated β-SiC(001) / B. I. Craig, P. V. Smith // Ibid. - 1993. - V. 285 - P. 295.
19. Badziag, P. Formation of the β-SiC c(2x2) reconstructed surface / P. Badziag // Ibid. - 1992. - V. 269. - P. 1152—1156.
20. Halicioglu, T. Multilayer relaxation features on (100) and (111) surfaces of β-SiC / T. Halicioglu // Thin solid films. - 1996. - V. 286. - P. 184—187.
21. Dyson, A. J. Empirical potential study of the chemisorption of C2H2 and CH3 on the SiC(001) surface / A. J. Dyson, P. V. Smith // Surface Sci. - 1998. - V. 396. - P. 24—39.
22. Craig, B. I. The structure of the C(2x2) phase of the carbon terminated β-SiC(100) surface / B. I. Craig, P. V. Smith // Surface Sci. Lett. - 1991. - V. 256. - P. 609—612.
23. Pollmann, J. Ab initio calculation on clean and oxygen covered 6H-SiC(0001) surfaces: (√3x√3)-R30o reconstruction / J. Pollmann, W. Lu, P. Kruger // Mater. Sci. Forum. - 2000. - V. 369. - P. 338—342.
24. Pollmann, J. Ab initio calculations of structural and electronic properties of prototype surfaces of group IV, III-V and II-VI semiconductors / J. Pollmann, P. Kruger, M. Rohlfing, M. Sabisch, D. Vogel // Appl. Surface Sci. - 1996. - V. 104. - P. 1—16.
25. Scholze, A. Diamond (111) and (100) surface: ab initio study of the atomic and electronic structure / A. Scholze, W. G. Schmidt, P. Käckell, F. Bechstedt // Mater. Sci. and Eng. - 1996. - V. 37. - P. 158—161.
26. Käckell, P. Characterization of carbon-carbon bonds on the SiC(001)c(2x2) surface / P. Käckell, J. Furthmüller, F. Bechstedt, G. Kresse, J. Hafner // Phys. Rev. - 1996. - V. 54, N 15. - P. 10304— 10307.
27. Furthmüller, J. Dimer reconstruction and electronic surface states on clean and hydrogenated diamond (100) surfaces / J. Furthmüller, J. Hafner, G. Kresse // Ibid. - 1996.- V. 53, N 11. - P. 7334—7351.
28. Catellani, A. Carbon lines on the cubic SiC(001) surface / A. Catellani, G. Galli, P. L. Rigolli // Ibid. - 2000. - V. 62, N 8. - P. 4794—4797.
29. Быков, В. И. Моделирование критических явлений в химической кинетике / В. И. Быков. - М. : КомКнига, 2007. - 328 с. 30. Кельцев, Н. В. Основы адсорбционной техники / Н. В. Кельцев. - М. : Химия, 1984. - 592 с.
31. Синельников, Б. М. Синтез и исследование физических свойств a-C:H пленок, осажденных из радиочастотной плазмы / Б. М. Синельников, Е. Лутц, В. А. Тарала, К. Ширмер, Т. Н. Прохода // Вестн. СевКавГТУ. - 2007. - № 1. - С. 5—12.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back