• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №1 →  Назад

НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ
Название Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs
Автор Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова
Информация об авторе Р. Х. Акчурин, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Материалы микроопто- и наноэлектроники», Н. Т. Вагапова, аспирант, (Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ им. М. В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
Реферат На основе модели энергетического баланса проведен расчет критических толщин образования дислокаций несоответствия и перехода от двухмерного роста к трехмерному по механизму Странского—Крастанова при формировании гетероструктур InxGa1?xAs/GaAs. Определены предельные значения этих величин и интервалы составов твердых растворов, позволяющие обеспечивать рост бездислокационных квантовых точек.
Ключевые слова Гетероструктура, квантовые точки, эпитаксиальный рост, механизм Странского—Крастанова.
Библиографический список 1. Ustinov, V. M. Quantum dot lasers / V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev // N.-Y.: Oxford University Press, 2003.
2. Krupanidhi, S. B. III-V compound semiconductor quantum dots for nanoelectronics / S. B. Krupanidhi // J. Indian Institute of Sci. - 2007. - V. 87. - P. 1.
3. Berti, M. Experimental evidence of two-dimensional—tree- dimensional transition in the Stranski—Krastanow coherent growth / M. Berti, A. V. Drigo, G. Rossetto, G. Torso // J. Vac. Sci. Thechnol. B. 1997. - V. 15. - P. 1795.
4. Mariette, H. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski—Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems / H. Mariette // C. R. Physique. - 2005. - V. 6. - P. 23.
5. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledensov // Hoboken (N.S.) Wiley, 1999.
6. Priester, C. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 5, Iss. 1. - P. 93—95.
7. Tersoff, J. Shape Transition in growth of strained islands: spontaneous Formation of QW / J. Tersoff, R. M. Tromp // Phys. Rev. Lett. - 1993. - V. 70. - P. 2782.
8. Semiconductors. Physics of group IV elements and III-V compounds / Ed. by O. Madelung - Berlin; Heidelberg; New York : Springer-Verlag, 1982. (Landolt-B-rnstein. New Series. - V. III/17a).
9. Leonard, D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / D. Leonard, K. Pond, P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 11687.
10. Kaiander, I. MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs / I. Kaiander // Diss. ... dr. rer. nat. - Berlin, 2006. - 129 s.
11. Pohl, U. W. Real-time control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy / U. W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 272. - P. 143—147.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад