ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
ArticleName
Деградация солнечных элементов на основе гидрогенизированного аморфного кремния
ArticleAuthors
В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, А. А. Краснов, А. А. Дудкин, Д. А. Зезин
ArticleAuthorsData

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:

В. Н. Мурашев

С. А. Леготин
А. А. Краснов

 

НПП КВАНТ:

А. А. Дудкин

 

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»:

Д. А. Зезин

Abstract

Опыт эксплуатации солнечных элементов (СЭ) на основе гидрогенизированного аморфного кремния показал, что, помимо низкой эффективности, эти преобразователи значительно быстрее деградируют по сравнению с СЭ на основе монокристаллического кремния. Процессы, которые определяют деградацию СЭ на аморфных материалах, изучены недостаточно, а также известны сообщения о деградации подобных образцов без света. Проведен эксперимент по сравнению особенностей изменения во времени основных параметров преобразователя в темноте и под действием естественного освещения. Продемонстрировано снижение тока короткого замыкания в образцах, выдержанных в темноте. Показано, что изменение этого параметра у засвеченных образцов в среднем такое же, а для отдельных образцов падение тока короткого замыкания существенно больше. Это свидетельствует о том, что наблюдаемый эффект не связан с эффектом Стеблера—Вронского.

Авторы выражают благодарность Э. Н. Воронкову за полезное обсуждение результатов работы.

keywords
Деградация солнечных элементов, тонкопленочные солнечные батареи, гидрогенизированный аморфный кремний, дисперсионные кривые, эффект Стеблера—Вронского
References

1. Yang, Jeffrey. Metastability of amorphous silicon / Jeffrey Yang, Subhendu Guha // PV Module Reliability Workshop. − Golden (CO), 2010. (http://www1.eere.energy.gov/solar/sunshot/pvmrw_2010.html).
2. Zezin, D. A. Ocenka nekotoryh faktorov, vliyayushih na degradaciyu solnechnyh elementov na osnove a−Si : H / D. A. Zezin, D. V. Latohin // Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki: sbornik trudov VIII Mezhdunarodnoi konferencii. − SPb.: Izd−vo Politehn. un−ta, 2012. − 452 s.
3. Meden, A. Fizika i primenenie amorfnyh poluprovodnikov / A. Meden, M. Sho. − M. : Mir, 1991. − 670 s.
4. Belyaev, Yu. K. Nadezhnost' tehnicheskih sistem: Spravochnik / Yu. K. Belyaev, V. A. Bogatyrev, V. V. Bolotin i dr. − M. : Radio i svyaz', 1985. − 608 s.
5. Zenova, E. V. Osnovy teorii i rascheta nadezhnosti izdelii elektronnoi tehniki / E. V. Zenova. − M. : Izd−vo MEI, 2005. − 68 s.
6. Voronkov, E. N. Nadezhnost' poluprovodnikovyh priborov i mikroshem / E. N. Voronkov. − M. : Izd−vo MEI, 1986. − 47 s.
7. Kapur, K. C. Reliability in engineering design / K. C. Kapur, L. R. Lamberson. − N. Y. : John Wiley and Sons, 1977.
8. Raushenbah, G. Spravochnik po proektirovaniyu solnechnyh elementov / G. Raushenbah. − M. : Energoatomizdat, 1983.

Language of full-text
russian
Full content

Back