Материалы электронной техники
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»:
Н. И. Каргин
А. О. Султанов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Беларусь:
А. В. Бондаренко
В. П. Бондаренко
С. В. Редько
ОАО «ОКБ–Планета»:
А. С. Ионов
Институт физики микроструктур РАН:
М. Н. Дроздов
М. В. Степихова
ГОУ ВПО «Самарский государственный университет»:
Н. В. Латухина
В. А. Покоева
М. А. Сурин
ОАО «Гиредмет»:
В. С. Ежлов
А. Г. Мильвидская
Е. В. Молодцова
ОАО «Оптрон»:
М. В. Меженный
Открытое акционерное общество «Государственный научно−исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»:
А. Г. Белов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»:
В. А. Голубятников
Ф. И. Григорьев
А. П. Лысенко
Н. И. Строганкова
М. Б. Шадов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:
В. Г. Костишин
А. В. Нуриев
Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника, Украина:
Б. К. Остафийчук
Институт металлофизики НАН Украины им. Г. В. Курдюмова, Украина:
В. В. Мокляк
Национальный центр физики частиц и высоких энергий БГУ, Республика Беларусь:
Ю. А. Федотова
Белорусский государственный университет, Республика Беларусь:
Д. К. Иванов
Ю. А. Иванова
А. В. Мазаник
И. А. Свито
Е. А. Стрельцов
А. К. Федотов
Al−Balqa Applied University, Jordan:
А. Саад
Объединенный институт ядерных исследований:
С. И. Тютюнников
П. Ю. Апель
Донецкий физико−технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, Украина:
В. В. Румянцев
С. А. Федоров
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:
В. Н. Мурашев
С. А. Леготин
А. А. Краснов
НПП КВАНТ:
А. А. Дудкин
Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»:
Д. А. Зезин
ОАО Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина:
С. В. Быткин
Запорожская государственная инженерная академия, Украина:
Т. В. Критская
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:
С. П. Кобелева
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН:
И. Д. Лошкарев
А. П. Василенко
Е. М. Труханов
А. В. Колесников
А. С. Ильин
М. А. Путято
Б. Р. Семягин
В. В. Преображенский
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина:
В. А. Данько
С. А. Злобин
И. З. Индутный
И. П. Лисовский
В. Г. Литовченко
Е. В. Михайловская
П. Е. Шепелявый
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина; Physikalisches Institut, Goethe–Universitaet, Frankfurt am Main, Germany:
Е. Бегун
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:
Ф. И. Маняхин
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»:
В. А. Голубятников
Ф. И. Григорьев
А. П. Лысенко
Н. И. Строганкова
М. Б. Шадов
Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»:
А. Г. Белов
В. Е. Каневский


