Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

C. В. Тихов, Д. А. Павлов, Н. О. Кривулин

Предложен простой способ определения состояния поверхности раздела кремний—сапфир в тонких слоях кремний−на−сапфире, основанный на измерениях фотоЭДС насыщения и вольт−амперных характеристик в диодных структурах Au/Si. Показано, что в слоях кремний−на−сапфире, полученных методом низкотемпературной молекулярно−лучевой эпитаксии, на границе кремний—сапфир образуется слой р−типа проводимости.

Работа выполнена при финансовой поддержке Рособразования (грант РНП 2.1.1.36/26).

1. Папков, В. С. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе / В. С. Папков, М. В. Цыбульников. − М. : Энергия, 1979. − 88 с.
2. Пека, Г. П. Физика поверхности полупроводников / Г. П. Пека. − Киев : Наукова думка, 1967.
3. Abrahams, M. S. / M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi // Appl. Lett. − 1975. − V. 27, N 6. − P. 325.
4. Тихов, С. В. / С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов // Вестн. Нижегородского ун−та. − 2010. − № 2. − С. 60—65.
5. Тихов, С. В. / С. В. Тихов // ФТП. − 1995. − Т. 29. − С. 742.
6. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. − М. : Мир, 1984. − 525 с.
7. Карпович, И. А. / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Л. А. Истомин // Вестн. Нижегородского ун−та. − 2008. − № 1. − С. 25—29.
8. Родерик, Э. К. Контакты металл−полупроводник / Э. К. Родерик. − М. : Радио и связь, 1982. − 208 с.
9. Зуев, В. А. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах / В. А. Зуев, А. В. Саченко, Н. Б. Толпыго. − М., 1977.