Методом жидкофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои Pb_0,8Sn_0,2Te, как нелегированные, так и легированные примесью индия. Исследованы распределения концентрации свободных носителей заряда и концентрации индия по глубине эпитаксиального слоя. Установлено, что на глубине до 15 мкм удается получить однородную по концентрации область, а меняя концентрацию индия, — изменить тип проводимости эпитаксиального слоя при температуре 77,3 К. Показано, что метод жидкофазной эпитаксии является более технологичным для воспроизводимого получения эпитаксиальных слоев с заданной концентрацией свободных носителей, в том числе для фотоприемников терагерцового диапазона.

1. Хохлов, Д. Р. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов / Д. Р. Хохлов // УФН. − 2006. − Т. 176, № 9. − С. 983—987.
2. Галеева, А. Н. Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb_1−xSn_xTe(In) в терагерцовой спектральной области / А. Н. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов // Письма в ЖЭТФ. − 2010. − Т. 91, Вып. 1. − С. 37—39.