О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Н. А. Симинел

О. А. Бузанов, кандидат техн. наук, главный технолог, ОАО «Фомос-Материалс», 119049, г. Москва, ул. Буженинова, д. 16.; Н. С. Козлова, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, e-mail: kozlova_nina@mail.ru, Е. В. Забелина, младший научный сотрудник., А. П. Козлова, аспирант, e-mail: anna_kozlova_2009@mail.ru, Н. А. Симинел, студент, (ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский Пр-т, д. 4).

Изучено влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства монокристаллов лангасита La₃Ga₅SiO₁₄ и лангатата La₃Ta_0,5Ga_5,5O₁₄, выращенных в различной атмосфере (аргон или аргон с кислородом). Проведены исследования температурных зависимостей электропроводности лангатата в постоянном электрическом поле в диапазоне температур от 20 до 500 ^oС, а также влияния на них материала токопроводящих покрытий (иридий, золото с подложкой титана, серебро с подложкой хрома).

Лангатат, электропроводность, оптическая спектроскопия, атмосфера выращивания.

1. Фрайден, Дж. Современные датчики / Дж. Фрайден - М. : Техносфера, 2006. - 592 с.
2. Shimamura, K. Growth and crystallization of lanthanum gallium silicate single crystals for piezoelectric application / K. Shimamura, H. Takeda, T. Kohno // J. Cryst. Growth. - 1996. - N 163. - P. 388—392.
3. Takeda, H. Effective substitution of aluminum for gallium in langasite?type crystals for a pressure sensor use at high temperature / H. Takeda, S. Tanaka, S. Izukawa, et al. // Ultrasonics Symp. IEEE. - 2005. - V. 1, Iss. 18—21. - P. 560—563.
4. Каминский, А. А. Генерация стимулированного излучения ионов Nd³⁺ в тригональном ацентричном кристалле La₃Ga₅SiО₁₄ / А. А. Каминский, С. С. Саркисов, Б. В. Милль и др. // Докл. АН СССР. - 1982. - Т. 264, № 1. - С. 93—95.
5. Дубовик, М. Ф. Пьезоэлектрический материал на основе лангасита / М. Ф. Дубовик, И. А.Андреев, Т. И. Коршикова //А.с. СССР № 1506951. МКИ C30 В29/34, 15/00-1987 г.
6. Wang, Jiyang. Growth, properties and electrooptical applications of single crystal La₃Ga₅SiO₁₄ / Jiyang Wang, Xin Yin, Rongjiang Han et al. // Opt. Mater. - 2003. - V. 23. - P. 393—397.
7. Jiyang, Wang. Growth of optical quality langasite crystal / Jiyang Wang, Jianxiu Zhang // Ibid. - 2006. - V. 28. — P. 1076— 1079.
8. Komatsu, Ryuichi. Norlinear optical properties of langasite crystal / Ryuichi Komatsu, Tamotsu Sugawara, Satoshi Uda // Jap. Appl. Phys. - 1997. - V. 36. - P. 6159—6161.
9. Balda, R. Study of the Cr³⁺ sentization and structural disorder effects on the Nd³⁺ laser action in Ca-gallogermanate-type codoped crystals / R. Balda, J. Azkargorta // Opt. Mater. - 1997. - V. 8. - P. 99—108.
10. Kim, Young Suk. Tm-doped langasite crystals grown by Czochralski method for optical applications / Young Suk Kim, Keun Ho Auh // Mater. Lett. - 2002. - V. 58. - P. 28—31.
11. Kong, Haikuan. Growth, properties and application as an electrooptic Q-switch of langasite crystal / Haikuan Kong, Jiyang Wang, Huaijin Zhang // J. Cryst. Growth. - 2003. - V. 254. - P. 360— 367.
12. Bohm, J. Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure: LGS, LGN, LGT / J. Bohm, R. B. Heimann, M. Hengst // Ibid. - 1999. - V. 204. - P. 129—136.
13. Dubovik, M. F. The nature of langasite crystals coloration / M. F. Dubovik, R. A. Katrunov, T. I. Korshikova // IEEE Int. Frequency Control Symp. - 1995. - N 95. - P. 638.
14. Busanov, O. A. / O. A. Busanov, A. V. Naumov, V. V. Nechaev et al. // Control Symposium. - 1996. - P. 131.
15. Доморощина, Е. Н. Связь между условиями выращивания, строением и оптическими свойствами кристаллов лангасита La₃Ga₅SiО₁₄ / Е. Н. Доморощина, Г. М. Кузьмичева, В. Б. Рыбаков и др. // Перспективные материалы. Материалы квантовой электроники и фотоники. - 2004. - № 4. - С. 17—30.
16. Бузанов, О. А. Приэлектродные процессы в кристаллах лантан-галлиевого танталата / О. А. Бузанов, Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, Т. Б. Сагалова // Кристаллография. - 2008. - Т. 53, № 5. - С. 242—246.

russian