Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
В. С. Кузнецов
П. А. Кузнецов
Рассмотрен поиск аналитического решения стационарной задачи поведения лавинного тока в сильных электрических полях при наличии центров генерации и рекомбинации. Представлены вольт−амперные характеристики для p—i—n−структуры. Полученные результаты объясняют образование пространственных структур и гистерезис в сильных электрических полях.
1. Грехов, И. В. Лавинный пробой p—n−перехода в полупроводниках / И. В. Грехов Ю. Н. Серёжкин. − Л. : Энергия, 1980.
2. Гафийчук, В. В. Микроплазмы в идеально однородных p—i—n−структурах. / В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, В. В. Осипов // ФТП. − 1990. − Т. 24, № 4. − С. 724.
3. Rodin, P. Tunneling−assisted impact ionization fronts in semiconductors / P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I. Grekhov // J. Appl. Phys. − 2002. − V. 92, N 2. − P. 958—964.
4. Кюрегян, A. C. О механизме пробоя p−n переходов при больших скоростях нарастания обратного смещения / A. C. Кюрегян // Письма в ЖТФ. − 2005. − Т. 31, вып. 24. − С. 11—19.
5. Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p—n−переходов за порогом зинеровского пробоя / И. В. Грехов, И. П. Родин // Письма в ЖТФ. − 2007. − Т. 33, вып. 4. − С. 87—94.
6. Шелль, Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно−рекомбинационными процессами. / Э. Шёлль − М. : Мир, 1991. − 464 с.
7. Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. / А.Милнс. − М. : Мир, 1977. − 124 с.
8. Ландау, Л. Д. Квантовая механика. Нерелятивистская механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. − М. : Наука, 1989. − 761 с.
9. Levinshtein, M. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices / M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. − Singapore : World Scientific Publishing Co. Ptc. Ltd., 2005.
10. Астров, Ю. А. Токовые структуры в Si(Zn). / Ю. А. Астров // ФТП. − 1993. − Т. 27, № 11/12. С. 1971—1989.
11. Астров, Ю. А. Исследование структуры токовых нитей в Si(Zn) / Ю. А. Астров, С. А. Хореев // ФТП. − 1993.− Т. 27, № 11/12. − С. 1024—2029.