ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

К. В. Гочуа

Отработаны технологические условия, которые позволяют получать достаточно однородные слитки термоэлектрических материалов (ТЭМ) большого диаметра (30 мм) с благоприятной для реализации электрофизических свойств текстурой, характерной для ромбоэдрической кристаллической решетки. Показано, что в четырехкомпонентных твердых растворах Bi₁Sb1Te_3−xSex p−типа проводимости, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации без добавления избыточного теллура, получается благоприятная для реализации электрофизических свойств текстура, при которой плоскости спайности отклонены от оси слитка на 5°.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (г.к. 16.552.11.7009).
Исследования проведены на оборудовании центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» НИТУ «МИСиС».

1. Drabkin, I. A. Optimization of thermoelectric generator with segmented elements / I. A. Drabkin, L. B. Ershova, K. V. Gochua // Proc. of the 6^th Europ. Conf. on Thermoelectrics. − Paris (France), 2008. − P. 2−31−1.
2. Maronchuk, I. I. Growth of crystals of thermoelectric materials based on Bi and Sb chalkogenides by the method of vertical directed crystallization / I. I. Maronchuk, V. B. Osvensky, V. V. Rakov, V. T. Bublik, T. B. Sagalova, N. Yu. Tabachkova // Proc. of the 5^th Internat. Conf. on Single Crystal Growth and Heat and Mass Transfer. − Obninsk, 2001. − V. 2. − P. 506—510.
3. Гольцман, Б. М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ / Б. М. Гольцман, В. В. Кудинов, И. А. Смирнов. − М. : Наука, 1972. − 320 с.