ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
О. Г. Портнов, Д. Г. Харламов
Представлены результаты исследования особенностей формирования монокристалла иодата лития (α−LiIO3) пирамидами роста граней его простых форм при выращивании монокристалла на плоской затравке (Z−срез). Изучены монокристаллы, выращенные из кислых (pH = 2) маточных растворов при изотермическом испарении растворителя и дозированном отборе конденсата. При исследованиях использован эффект декорирования растущего монокристалла катионными микропримесями. Это позволило визуализировать расположение пирамид роста граней {1010} и {1011} относительно друг друга в монокристаллах. Методом селективного травления на поверхности Z−среза выявлены особенности секториальной и зонарной неоднородности монокристаллов, выращенных из сырья разной квалификации по чистоте. Обнаружены полосы зонарной неоднородности в пирамидах роста граней {1010} и на Z−срезе монокристалла выявлена сложная структура секториальных границ, которые объясняются зонарной примесной неоднородностью, возникающей при микроколебаниях скорости роста монокристалла.
Авторы благодарны доц. В. В. Антипову и с.н.с. О. М. Кугаенко за ценные замечания и рекомендации.
1. Авдиенко, К. И. Иодат лития. Выращивание кристаллов, их свойства и применение / К. И. Авдиенко, С. В. Богданов, С. М. Архипов. − Новосибирск: Наука, 1980. − 146 с.
2. Блистанов, А. А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А. А. Блистанов. − М.: МИСиС, 2007. − 432 с.
3. Локшин, Э. П. Выращивание и свойства монокристаллов α−LiIO3 / Э. П. Локшин // Кристаллография. − 1998. − Т. 43, № 4. − С. 761—766.
4. Портнов, О. Г. Предростовая глубокая кристаллизационная очистка маточного раствора для выращивания монокристаллов α−LiIO3 / О. Г. Портнов, К. М. Розин, Л. В. Васильева // Неорган. материалы. − 2008. − Т. 44, № 4. − С. 1—3.
5. Блистанов, А. А. Выращивание профилированных кристаллов α−LiIO3 / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2001. − № 2. − С. 42—43.
6. Пат. SU 1503346 А1. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин; Опубл. 22.04.93 г.
7. Пат. RU 1605584 А2. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин, Г. А. Ермаков, В. А. Мосиевский; Опубл. 22.05.95 г.
8. Пат. RU 2332529 С1. Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов; Опубл. 27.08.2007 г.
9. Розин, К. М. Теоретический анализ степени однородности монокристаллов, выращенных из растворов. / К. М. Розин, О. Г. Портнов // Неорган. материалы. − 2008. − Т. 44, № 2. − С. 238—241.
10. Леммлейн, Г. Г. Морфология и генезис кристаллов / Г. Г. Леммлейн. − М. : Наука, 1973. − 328 с.
11. Розин, К. М. Микропримеси в монокристаллах гексагонального иодата лития. / К. М. Розин, Л. В. Васильева, О. Г. Портнов // Неорган. материалы. − 1988. − Т. 24, № 5. − С. 843—847.
12. Розин, К. М. Исследование примесной неоднородности монокристаллов гексагонального иодата лития, выращенного из водного раствора. / К. М. Розин, О. Г. Портнов, Л. В. Васильева, Н. С. Козлова, В. В. Гераськин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2001. − № 1. − С. 23—27.
13. Сангвал, К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение / К. Сангвал. − М.: Мир, 1990. − 492 с.
14. Атрощенко, Л. В. Особенности травления монокристаллов иодата лития. / Л. В. Атрощенко, Я. А. Обуховский, И. В. Ходсева // Кристаллография. − 1977. − Т. 22, № 2. − С. 414—416.