ИХТРЭМС КНЦ РАН
В. М. Орлов, зав. лаб., e-mail: orlov@chemy.kolasc.net.ru;
В. Н. Колосов, вед. науч. сотр.;
Т. Ю. Прохорова, ст. науч. сотр.;
М. Н. Мирошниченко, мл. науч. сотр.
Проведены исследования по технологии осколочных и натриетермических танталовых конденсаторных порошков. Описана технология осколочных агломерированных конденсаторных порошков с зарядом 5000–7000 мкКл/г. Ее характерными особенностями являются совмещение процессов дегидрирования и агломерации, а также утилизация водорода, выделяющегося в процессе дегидрирования с последующим его использованием для получения гидрида. Выполнено комплексное исследование процесса получения натриетермических порошков и показано, что наиболее перспективным методом является восстановление из расплава, содержащего гептафторотанталат калия (жидкофазное восстановление). При этом разработаны способы, позволяющие снизить содержание аппаратурных примесей в порошках и увеличить их поверхность. Показано, что кислород, введенный в содержащий танталат расплав на начальной стадии восстановления, оказывает влияние на рост частиц порошка и после добавления в расплав новых порций фторотанталата. Получены натриетермические танталовые конденсаторные порошки с удельным зарядом от 10 000 до 70 000 мкКл/г.
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта «Ведущие научные школы» № НШ 6722.2010.3
1. Mosheim E. Tantalum and niobium : annual review of statistics // T. I. C. bulletin. 2003. N 116. P. 2–8.
2. Moore J., Prymak J. Tantalum capacitors and developments // Ibid. 2004. N 117. P. 5–8.
3. Порошок тантала // Продукция Ульбинского металлургического завода. Режим доступа : http://www.ulba.kz/ru/production35.htm
4. Pozdeev-Freeman Y. How far can we go with high CV capacitors // Ibid. 2005. N 122. P. 4–8.
5. Орлов В. М., Рюнгенен Т. И., Новичков В. Ю. Оптимизация пористой структуры анодов электролитических конденсаторов // Порошковая металлургия. 1986. № 11. С. 27–31.
6. Пат. 2284248 РФ. Способ получения порошка вентильного металла / Орлов В. М., Колосов В. Н., Прохорова Т. Ю., Мирошниченко М. Н. ; заявл. 04.04.2005 ; опубл. 27.09.2006, Бюл. № 27.
7. Pat. 4356028 US. In situ phosphorus addition to tantalum / Bates V. T. ; publ. 26.10.1982.
8. Pat. 4544403 US. High charge, low leakage tantalum powders / Schiele E. K. et al. ; publ. 01.10.1985.
9. Орлов В. М., Колосов В. Н., Прохорова Т. Ю. и др. Получение танталовых конденсаторных порошков с высокоразвитой поверхностью // Химическая технология. 2007. Т. 8, № 2. С. 62–65.
10. Колосов В. Н., Орлов В. М., Мирошниченко М. Н. и др. Влияние содержания кислорода в солевом расплаве на характеристики натриетермических танталовых порошков // Металлы. 2009. № 1. С. 99–104.
11. Critical oxygen content in porous anodes of solid tantalum capacitors / Yu. Pozdeev-Freeman, Yu. Rozenberg, A. Gladkikh et al. / J. Mat. Science : Mat. Electronics. 1998. Vol. 9. P. 309–311.
12. Pat. 5605561 US. Tantalum powder and electrolytic capacitor using same / Iwabuchi K. et al. ; publ. 25.02.1997.
13. Appl. 0211932 WO. Method for producing tantalum powder, tantalum powder and tantalum electrolytic capacitor / Mizusaki Yu, Izumi T. ; publ. 14.02.2002.
14. Константинов В. И. Электролитическое получение тантала, ниобия и их сплавов. — М. : Химия, 1977. — 240 с.
15. Pat. 6238456 US. Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it / Wolf R. et al. ; publ. 29.05.2001.