НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ
Название
Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек
в гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs
Авторы
Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова
Информация об авторах
Р. Х. Акчурин, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой «Материалы микроопто- и наноэлектроники», Н. Т. Вагапова, аспирант,
(Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ
им. М. В. Ломоносова), 119571, г. Москва, пр-т Вернадского, д. 86).
Реферат
На основе модели энергетического баланса проведен расчет
критических толщин образования
дислокаций несоответствия и
перехода от двухмерного роста
к трехмерному по механизму
Странского—Крастанова при
формировании гетероструктур
InxGa1?xAs/GaAs. Определены
предельные значения этих величин и интервалы составов твердых растворов, позволяющие
обеспечивать рост бездислокационных квантовых точек.
Ключевые слова
Гетероструктура, квантовые точки,
эпитаксиальный рост, механизм
Странского—Крастанова.
Библиографический список
1. Ustinov, V. M. Quantum dot lasers / V. M. Ustinov,
A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev // N.-Y.: Oxford University
Press, 2003.
2. Krupanidhi, S. B. III-V compound semiconductor quantum dots for nanoelectronics / S. B. Krupanidhi // J. Indian Institute of Sci. - 2007. - V. 87. - P. 1.
3. Berti, M. Experimental evidence of two-dimensional—tree- dimensional transition in the Stranski—Krastanow coherent growth / M. Berti, A. V. Drigo, G. Rossetto, G. Torso // J. Vac. Sci. Thechnol. B. 1997. - V. 15. - P. 1795.
4. Mariette, H. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski—Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems / H. Mariette // C. R. Physique. - 2005. - V. 6. - P. 23.
5. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledensov // Hoboken (N.S.) Wiley, 1999.
6. Priester, C. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 5, Iss. 1. - P. 93—95.
7. Tersoff, J. Shape Transition in growth of strained islands: spontaneous Formation of QW / J. Tersoff, R. M. Tromp // Phys. Rev. Lett. - 1993. - V. 70. - P. 2782.
8. Semiconductors. Physics of group IV elements and III-V compounds / Ed. by O. Madelung - Berlin; Heidelberg; New York : Springer-Verlag, 1982. (Landolt-B-rnstein. New Series. - V. III/17a).
9. Leonard, D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / D. Leonard, K. Pond, P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 11687.
10. Kaiander, I. MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs / I. Kaiander // Diss. ... dr. rer. nat. - Berlin, 2006. - 129 s.
11. Pohl, U. W. Real-time control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy / U. W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 272. - P. 143—147.
2. Krupanidhi, S. B. III-V compound semiconductor quantum dots for nanoelectronics / S. B. Krupanidhi // J. Indian Institute of Sci. - 2007. - V. 87. - P. 1.
3. Berti, M. Experimental evidence of two-dimensional—tree- dimensional transition in the Stranski—Krastanow coherent growth / M. Berti, A. V. Drigo, G. Rossetto, G. Torso // J. Vac. Sci. Thechnol. B. 1997. - V. 15. - P. 1795.
4. Mariette, H. Formation of self-assembled quantum dots induced by the Stranski—Krastanow transition: a comparison of various semiconductor systems / H. Mariette // C. R. Physique. - 2005. - V. 6. - P. 23.
5. Bimberg, D. Quantum Dot Heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledensov // Hoboken (N.S.) Wiley, 1999.
6. Priester, C. Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 5, Iss. 1. - P. 93—95.
7. Tersoff, J. Shape Transition in growth of strained islands: spontaneous Formation of QW / J. Tersoff, R. M. Tromp // Phys. Rev. Lett. - 1993. - V. 70. - P. 2782.
8. Semiconductors. Physics of group IV elements and III-V compounds / Ed. by O. Madelung - Berlin; Heidelberg; New York : Springer-Verlag, 1982. (Landolt-B-rnstein. New Series. - V. III/17a).
9. Leonard, D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / D. Leonard, K. Pond, P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 50. - P. 11687.
10. Kaiander, I. MOCVD growth of InGaAs/GaAs QDs for long wavelength lasers and VCSELs / I. Kaiander // Diss. ... dr. rer. nat. - Berlin, 2006. - 129 s.
11. Pohl, U. W. Real-time control of quantum dot laser growth using reflectance anisotropy spectroscopy / U. W. Pohl, K. Potschke, I. Kaiander, J.-T. Zettler, D. Bimberg // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 272. - P. 143—147.
Language of full-text
русский
Полный текст статьи