А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, И. П. Раевский, Д. Н. Санджиев, В. Ю. Шонов

А. А. Богомолов, профессор, e-mail: p000717@ tversu.ru, А. В. Солнышкин, доцент, Д. А. Киселев, аспирант, (Тверской государственный университет, кафедра физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков, 170002, г. Тверь, Садовый пер., д. 35); И. П. Раевский, профессор, зав. отдела физики полупроводников, Д. Н. Санджиев, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, В. Ю. Шонов, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, (НИИ физики Южного федерального университета, 344090, г. Ростов-на-Дону, просп. Стачки, д. 194).

Представлены результаты экспериментальных исследований пироэлектрического и фотовольтаического откликов как предварительно поляризованных, так и находящихся под воздействием внешнего электрического поля пленок сегнетоэлектрикаполупроводника Sn₂P₂S₆ при их облучении модулированным лазерным излучением с длиной волны λ = 632,8 нм. Показано, что варьирование интенсивности монохроматического лазерного излучения путем его фокусировки позволяет различать пироэлектрический и фотовольтаический отклики сегнетоэлектриковполупроводников.

Пироэлектрический и фотовольтаический отклики, короткое замыкание, пленки, сегнетоэлектрик-полупроводник тиогиподифосфат олова.

1. Бурцев, Е. В. Фотопроводимость сегнетоэлектриков-полупроводников SbSJ и Sn₂P₂S₆ в длинноволновой области спектра / Е. В. Бурцев, В. Г. Лазарев, Н. П. Проценко, А. И. Родин // Сб.: Сегнетоэлектрики-полупроводники. - Ростов-на-Дону : РГУ, 1985. - С. 83—87.
2. Arnautova, E. Sn₂P₂S6 films for memory devices with nondestructive readout/ E. Arnautova, E. Sviridov, E. Rogach, E. Savchenko, A. Grekov // Integrated Ferroelectrics. - 1992. - V. 1. - P. 147—150
3. Богомолов, А. А. Температурная зависимость пиро- и фотоэлектрического отклика в пленках Sn₂P₂S₆ / А. А. Богомолов, О. В. Малышкина, А. В. Солнышкин, И. П. Раевский, Н. П. Проценко, Д. Н. Санджиев // Изв. РАН. Сер. физ. - 1997. - Т. 61, № 2. - С. 375—377.
4. Богомолов, А. А. Особенности нестационарного фототока короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn₂P₂S₆ / А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, И. П. Раевский, Н. П. Проценко, Д. Н. Санджиев // ФТТ. - 2006. - Т. 48, № 6. - С. 1121—1122.
5. Фридкин, В. М. / В. М. Фридкин — Фотосегнетоэлектрики. - М. : Наука, 1979. - 264 с.
6. Богомолов, А. А. Температурное поведение фотовольтаического и пироэлектрического отклика пленок сегнетоэлектрикаполупроводника Sn₂P₂S₆ / А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, И. П. Раевский, Н. П. Проценко, Д. Н. Санджиев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - № 6. - С. 98—104.
7. Bogomolov, A. A. Pyroresponse of Sn₂P₂S₆ films on aluminum substrate / A. A. Bogomolov, O. V. Malyshkina, A. V. Solnyshkin, I. P. Raevsky, N. P. Protzenko, D. N. Sandjiev // J. Korean Phys. Soc. - 1998. - V. 32. - P. S251—S252.
8. Bogomolov, A. A. Nonstationary photocurrent and pyroelectric response in aged Sn₂P₂S₆ films / A. A. Bogomolov, A. V. Solnyshkin, D. A. Kiselev, I. P. Raevsky, N. P. Protzenko, D. N. Sandjiev // J. Europ. Ceramic Soc. - 2007. - V. 27. - P. 3835—3838.
9. Garn, L. E. Use of low-frequency sinusoidal temperature waves to separate pyroelectric currents from nonpyroelectric currents. Part I. Theory / L. E. Garn, E. J. Sharp // J. Appl. Phys. - 1982. - V. 53, Iss. 12. - P. 8974—8979.

русский