ИФЯЭ НИЯУ «МИФИ»:

К. Д. Ванюхин

Р. В. Захарченко

Н. И. Каргин

Л. А. Сейдман

Исследованы свойства пленок ITO, полученных электронно−лучевым испарением в широком диапазоне режимов: давление кислорода составляло от 5 ⋅ 10⁻⁴ до 4 ⋅ 10⁻² Па, скорость испарения 0,075—0,4 нм/с. Испарение проведено из гранул размером 3—6 мм, состоящих из смеси стехиометрических оксидов индия и олова в соотношении 9 : 1. Скорость нанесения поддерживали постоянной с помощью кварцевого датчика скорости нанесения и толщины пленки. Испарение останавливалось по достижении заданной толщины пленки 200 нм. После нанесения пленки проведен отжиг образцов в течение 30 с в среде азота или воздуха при температуре 300—700 ^оC. Изучение свойств полученных пленок проведено с целью выбора оптимальных условий нанесения и последующего отжига. Полученные в оптимальных условиях пленки ITO были успешно использованы в структурах светодиодов в качестве прозрачных проводящих контактов в светодиодах на основе GaN.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования РФ с использованием оборудования ЦКП «Гетероструктурная СВЧ−электроника и физика широкозонных полупроводников».

1. Марков, Л. К. Отражающий p−контакт на основе тонких пленок ITO для флип−чип−светодиодов AlGaInN / Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, Е. М. Аракчеева, М. М. Кулагина // Физика и техника полупроводников. − 2009. − Т. 43, № 11. − С. 1564—1569.
2. Смирнова, И. П. AlGaInN−светодиоды с прозрачным p−контактом на основе тонких пленок ITO. / И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин // Там же. − 2012. − Т. 46, № 3. − С. 384—388.
3. Kow−Ming Chang. Highly reliable GaN−based light−emitting diodes formed by p−In_0,1Ga_0,9N–ITO structure / Kow−Ming Chang, Jiunn−Yi Chu, Chao−Chen Cheng. // IEEE Photonics Technol. Lett. − 2004. − V. 16, N 8. − P. 1807—1809.
4. Kow−Ming Chang. Investigation of indium–tin−oxide ohmic contact to p−GaN and its application to high−brightness GaN−based light−emitting diodes. / Kow−Ming Chang, Jiunn−Yi Chu, Chao−Chen Cheng // Solid State Electron. − 2005. − V. 49. − P. 1381—1386.
5. Kim, D. W. A study of transparent indium tin oxide (ITO) contact to p−GaN / D. W. Kim, Y. J. Sung, J. W. Park, G. Y. Yeom // Thin Solid Films. − 2001. − V. 398−399. − P. 87—92.
6. Hou Wenting. Evaluation of metal/indium−tin−oxide for transparent low−resistance contacts to p−type GaN / Wenting Hou, Ch. Stark, Shi You, Liang Zhao, Theeradetch Detchprohm, Ch. Wetzel. // Appl. Optics. − 2012. − V. 51, N 23. − P. 5596—5600.
7. Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй. − М. : Техносфера, 2011. − 587 с.
8. Morgan, D. V. Annealing effects on opto−electronic properties of sputtered and thermally evaporated indium−tin−oxide films / D. V. Morgan, Y. H. Aliyu. R. W. Bunco, A. Salehi // Thin Solid Films. − 1998. − V. 312. − P. 268—272.
9. Habibi, M. H. The effect of annealing on structural, optical and electrical properties of nanostructured tin doped indium oxide thin films / M. H. Habibi, N. Talebian // Acta Chim. Slov. − 2005. − V. 52. − P. 53—59.
10. Neubert, T. Investigations on oxygen diffusion in annealing processes of non−stoichiometric amorphous indium tin oxide thin films / T. Neubert, F. Neumann, K. Schiffmann, P. Willich, A. Hangleiter // Thin Solid Films. − 2006. − V. 513. − P. 319—324.
11. Paine, D. C. A study of low temperature crystallization of amorphous thin film indium—tin—oxide / D. C. Paine, T. Whitson, D. Janiac, R. Beresford, Cleva Ow Yang, B. Lewis // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 12. − P. 8446—8450.
12. Zhu, F. Investigation of annealing effects on indium tin oxide thin films by electron energy loss spectroscopy / F. Zhu, C. H. A. Huan, K. Zhang, A. T. S. Wee // Thin Solid Films. − 2000. V. 359. − P. 244—250.
13. Neng Wan. Indium tin oxide thin films for silicon−based electroluminescence devices prepared by electron beam evaporation method / Neng Wan, Tao Wang, Hongcheng Sun, Guran Chen, Lei Geng, Xinhui Gan, Sihua Guo, Jun Xu, Ling Xu, Kunji Chen // J. Non−Crystalline Solids. − 2010. − V. 356. − P. 911—916.
14. Sonia Alves Cardoso Diniz, A. The effects of various annealing regimes on the microstructure and physical properties of ITO (In₂O₃ : Sn) thin films deposited by electron beam evaporation for solar energy applications / A. Sonia Alves Cardoso Diniz // Renewable Energy. − 2011. − V. 36. − P. 1153—1165.
15. Belo, G. S. A simplified reactive thermal evaporation method for indium tin oxide electrodes / G. S. Belo, B. J. P. da Silva, E. A. de Vasconcelos, W. M. de Azevedo, E. F. da Silva Jr. // Appl. Surface Sci. − 2008. − V. 255. − P. 755—757.
16. Raoufi, D. Multifractal analysis of ITO thin films prepared by electron beam deposition method / D. Raoufi, H. R. Fallah, A. Kiasatpour, A. S. H. Rozatian // Appl. Surface Sci. − 2008. − V. 254. − P. 2168—2173.
17. George, J. Electrical and optical properties of electron beam evaporated ITO thin films / J. George, C. S. Menon // Surface and Coatings Technol. − 2000. − V. 132. − P. 45—48.