Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»:
А. С. Гусев
А. В. Зенкевич
Н. И. Каргин
Д. В. Аверьянов
М. М. Грехов
ФГУП «НИФХИ им. Л. Я. Карпова»:
С. М. Рындя
Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные пленки карбида кремния на кремнии. Исследовано влияние температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов.
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и образования РФ с применением оборудования центра коллективного пользования «Гетероструктурная СВЧ−электроника и физика широкозонных полупроводников» НИЯУ МИФИ.
1. Nishino, S. Production of large−area single−crystal wafers of cubic SiC for semiconductors / S. Nishino, J. Powell, H. Will // Appl. Phys. Lett. − 1983. − V. 42, Iss. 5. − P. 460—462.
2. Кукушкин, С. А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. − 2008. − Т. 50, вып. 7. − С. 1188—1195.
3. Fissel, A. MBE−growth of heteropolytypic low−dimensional structures of SiC / A. Fissel, U. Kaiser, B. Schröter, J. Kräußlich, W. Richter // Thin Solid Films. – 2000. − V. 380. − P. 89—91.
4. Vendan, M. Ultra−short pulsed laser deposition and patterning of SiC thin films for MEMS fabrication / M. Vendan, P. Molian, А. Bastawros // Mater. Sci. in Semiconductor Processing.− 2005. − V. 8, Iss. 6. − P. 630—645.
5. Кукушкин, С. А. Светодиод на основе III−нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов // Письма в ЖТФ. − 2012. − Т. 38, вып. 6. − С. 90—95.
6. Ghica, C. Growth and characterization of β−SiC films obtained by fs laser ablation / C. Ghica // Appl. Surf. Sci. − 2006. − V. 252, Iss. 13. − P. 4672—4677
7. Ristoscu, C. Femtosecond pulse shaping for phase and morphology control in PLD: Synthesis of cubic SiC / C. Ristoscu // Ibid. − 2006. − V. 252, Iss. 13. − P. 4857—4862
8. Borman, V. D. Roughening of a Si(100) surface induced by the adsorption of oxygen near the solidoxide nucleation threshold / V. D. Borman, Yu. Yu. Lebedinskii, V. I. Troyan // J. Experimental and Theoretical Phys. − 1998. − V. 87, N. 1. − P. 133—145.