Journals →  Tsvetnye Metally →  2009 →  #2 →  Back

ArticleName On decrease of influence of heat convection on the quality of silicon monocrystals, growing via Chokhral'sky method
ArticleAuthor Egorov S. G., Volyar R. N., Chervony I. F., Kirichenko A. G.
ArticleAuthorData Egorov S. G., e-mail:
Abstract The basic opportunity of a melt height reduction in the crucible at the silicon single crystals growth by Czochral'sky method is investigated. At the reduction of a melt height in crucible the qualitative and quantitative change of streams movement velocity is observed. The stationary mode of development thermal convection is provided.
keywords Chokhral'sky method, melt, heat convection, stationary conditions, speed of flux motion.
References 1. Мильвидский М. Г. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2000. № 1. С. 14–18.
2. Степченков В. Н., Голубенков Б. Ю. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1982. Вып. 6. С. 44–47.
3. Степченков В. Н., Голубенков Б. Ю., Добрынин А. В. // Там же. Вып. 7. С. 25–28.
4. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности: пер. с англ. — М. : Мир, 1991. — 143 с.
Language of full-text russian
Full content Buy