Рассмотрен комплекс вопросов, связанных с тепловой оптимизацией при выращивании монокристаллов кремния (по методу Чохральского). Для оптимизации температурного поля в выращиваемом монокристалле применены специальные конструкции теплового экрана, в том числе с водяным охлаждением. Для управления процессами тепломассопереноса и формой фронта кристаллизации исследовано влияние скорости вращения тигля на азимутальную скорость расплава и форму фронта кристаллизации.

1. Пат. RU 2355834 C1. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, В. Ю. Жвирблянский, М. Г. Мильвидский; ГНУ ИХПМ. Заявл. 20.05.2009.
2. Пат. RU 2382121 C1. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, В. Ю. Жвирблянский, М. Г. Мильвидский; ГНУ ИХПМ. Заявл. 20.02.2010.
3. Togawa, S. Oxygen transport from a silica crucible in Czochralski silicon growth / S. Togawa, K. Izunome, S. Kawanishi, S.— Ik. Chung, K. Terashima, S. Kimura // J. Cryst. Growth. — 1996. — V. 165. — P. 362—371.
4. Pat. US 5593498. Apparatus for rotating a crucible of a crystal pulling machine / S. I. Kimbel, H. W. Korb, C. F. Hall. 14.01.1997.
5. Polezhaev, V. I. Convection during crystal growth on Earth and in space / V. I. Polezhaev, K. G. Dubovik, S. A. Nikitin, A. I. Prostomolotov, A. I. Fedyushkin // J. Cryst. Growth. — 1981. — V. 52. — P. 465—470.
6. Свидетельство о гос. рег. программ для ЭВМ № 2009613989. Программа «CRYSTMO/MARC» для сопряженного теплового моделирования / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов; ОАО«Гиредмет». Заявл. 27.07. 2009.
7. Верезуб, Н. А. Исследование теплопереноса в ростовом узле процесса Чохральского на основе сопряженной математической модели / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. — 2000. — № 3. — С. 28—34.
8. Prostomolotov, A. I. Integrated approach for modeling of heat transfer and microdefect formation during CZ silicon single crystal growth / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Solid State Phenomena. — 2008. — V. 131/133. — P. 283—288.
9. Prostomolotov, A. I. Thermal optimization of Cz silicon single crystal growth / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub, M. G. Mil’vidskii // Ibid. — 2010. — V. 156/158. — P. 217—222.
10. Prostomolotov, A. I. Simplistic approach for 2D CZ grown—in microdefect modeling / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Physica status solidi (C). — 2009. — V. 6, N 8. — P. 1878—1881.