Journals →
Материалы электронной техники →
2010 →
#3 →
Back
Back
| Эпитаксиальные слои и многослойные композиции | |
| ArticleName | Исследование электрических свойств анизотипных гетероструктур (SiC)1–х(AlN)x/SiC |
| ArticleAuthor | Билалов Б. А., Курбанов М. К., Гаджиев А. А., Рамазанов Ш. М. |
| ArticleAuthorData | Б. А. Билалов, Дагестанский государственный технический университет; М. К. Курбанов, Дагестанский государственный университет; А. А. Гаджиев, Дагестанский государственный технический университет; Ш. М. Рамазанов, Дагестанский государственный университет. |
| Abstract | Методом сублимационной эпитаксии полупроводниковых твердых растворов (SiC)1−x(AlN) на подложках 6H−SiC получены гетероструктуры p−(SiC))1−x(AlN)x//n−6H−SiC. Представлены результаты исследований концентрационной и температурной зависимости вольт−амперных характеристик. Установлено, что вследствие наличия высоких потенциальных барьеров прямой ток обусловлен процессами туннелирования и рекомбинации носителей заряда через состояния на границе раздела. |
| keywords | Вольт−амперная характеристика, туннелирование, носители заряда, гетероструктуры. |
| References | 1. Дмитриев, А. П. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC–AlN методом псевдопотенциала / А. П. Дмитриев, Н. В. Евлахов, А. С. Фурман // ФТП. − 1996. − Т. 30, Вып. 1. − С. 106—116. 2. Сафаралиев, Г. К. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)1−x(AlN)x / Г. К. Сафаралиев, М. К. Курбанов, Н. В. Офицерова, Ю. М. Таиров // Изв. РАН. Неорган. матер. − 1995. − Т. 6, № 6. − С. 1—4. 3. Курбанов, М. К. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)1−x(AlN)x методом вольт−фарадных характеристик / М. К. Курбанов, Б. А. Билалов, Ш. А. Нурмагомедов, Г. К. Сафаралиев // ФТП. − 2001. − Т. 35, Вып. 2. − С. 216—218. 4. Sah, S. T. Carrier generation and recombination in p−n junction and p−n junction characteristics / S. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley // Proc. IRE. − 1957. − V. 45. − P. 1228—1243. 5. Лебедев, А. А. Название / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, К. И. Игнатьев // ФТП. − 1996. − Т. 30, Вып. 10. − С. 1865. 6. Нурмагомедов, Ш. А. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов SiC1−xAlNx / Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков // Письма в ЖТФ. − 1986. − Т. 12, Вып. 17. − С. 1043—1045. 7. Давыдов, С. Ю. Об электронном сродстве политипов карбида кремния / С. Ю. Давыдов // ФТП. − 2007. − Т. 41, Вып. 6. − С. 718—721. 8. Лебедев, А. А. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p−3C/n−6H}−SiC / А. А. Лебедев, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов // Там же. − 1997. − Т. 31, Вып. 9. − С. 1083—1086. 9. Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. − Л. : Энергоатомиздат, 1988. − Т. 3. 10. Милнс, А. Гетеропереходы и переходы металл−полупроводник / А. Милнс, Д. Фойхт. − М. : Мир, 1975. |
| Language of full-text | russian |
| Full content | Buy |
