• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #2 →  Back

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
ArticleName Влияние режимов эксплуатации светодиодов на процесс дефектообразования в области p—n–перехода и снижение квантового выхода
ArticleAuthor Ф. И. Маняхин
ArticleAuthorData Ф. И. Маняхин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой электротехники и микропроцессорной электроники, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический Университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.
Abstract Установлена зависимость концентрации неравновесных дефектов, возникающих в процессе эксплуатации светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP с квантовыми ямами, от времени протекания прямого тока и электрических режимов. Получены экспериментальные результаты, подтверждающие достоверность этих зависимостей.
keywords Cветодиод, гетероструктура, квантовая эффективность, точечные дефекты.
References 1. Торчинская, Т. В. Преобразование дефектов в светоизлучающих диодах GaAs:Si в неравновесных условиях / Т. В. Торчинская, Г. Н. Семенова, М. К. Шейнкман // Укр. ФЖ. - 1989. - Т. 34, № 7. - С. 1079—1084.
2. Вавилов, В. С. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова - М. : Наука, 1981.
3. Маняхин, Ф. И. Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p—n-перехода AlGaN/InGaN/GaN светодиодных структур с квантовыми ямами при протекнии прямого тока / Ф. И. Маняхин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2005. - № 3. - С. 45—49.
4. Маняхин, Ф. И. Подпороговый механизм образования дефектов инжектированными носителями заряда в полупроводниковых структурах / Ф. И. Маняхин // Там же. - 1998. - № 1. - С. 37—42.
5. Маняхин, Ф. И. Роль компенсированного слоя в формировании вольт-амперной характеристики светодиодов на основе широкозонных полупроводников / Ф. И. Маняхин // Там же. 2009. - № 3. - С. 51—56.
6. Bhapkar, U. V. Monte-Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN / U. V. Bhapkar, M. S. Shur // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 82, N 4. - P. 1649—1655.
7. Bloom, S. Band structure and reflectivity of GaN / S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I. B. Ortenburger // Phys. status solidi. - 1974. - V. 66. - P. 161—168.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back