• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2010 →  #2 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
ArticleName Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира
ArticleAuthor А. В. Бородин, В. А. Бородин, В. Е. Искоростинская, Т. А. Стериополо, И. И. Ходос, А. Н. Некрасов
ArticleAuthorData А. В. Бородин, кандидат физ.-мат. наук, e-mail: borodin@ezan.ac.ru, В. А. Бородин, член-корреспондент РАН, e-mail: bor@ezan.ac.ru, В. Е. Искоростинская, аспирант, e-mail: kamynina@ezan.ac.ru, Т. А. Стериополо, (ФГУП “Экспериментальный завод научного приборостроения РАН” (ФГУП ЭЗАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. ак. Семенова, д. 9); И. И. Ходос, доктор физ.-мат. наук, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 6, e-mail: chodos@iptm.ac.ru; А. Н. Некрасов, Институт экспериментальной минералогии (ИЭМ РАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4, e-mail: alex@iem.ac.ru
Abstract Представлены результаты химического и структурного анализа центров рассеяния в профилированных кристаллах сапфира. Показано, что в основном центры рассеяния представляют собой включения аморфного алюминия. Объемная плотность центров рассеяния в дефектном образце на 1—2 порядка выше этого показателя для эталонного «бездефектного» образца.
keywords Оптика, сапфир, дефекты.
References 1. Багдасаров, X. С. Синтез крупных монокристаллов корунда / X. С. Багдасаров // Рубин и сапфир. - М. : Наука, 1974. - С. 20—35.
2. Cockayne, B. The melt growth of oxide and related single crystals / B. Cockayne // J. Cryst. Growth. - 1977. - V. 42, N 1. P. 413—426.
3. Tatarchenko, V. A. Defects in shaped sapphire crystals / V. A. Tatarchenko, T. N. Yalovets, G. A. Satunkin, L. M. Zatulovsky, L. P. Egorov, D. Ya. Kravetsky // Shaped crystal growth. - Amsterdam, 1980. - P. 335—340.
4. Тиллер, В. А. Основные положения теории затвердевания / В. А. Тиллер // Теория и практика выращивания кристаллов М. : Металлургия, 1968. - С. 347—349.
5. Novak, R. E. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrates / R. E. Novak, R. Metzl, A. Dreeben, S. Berkman // Shaped crystal growth. - Amsterdam, 1980. - P. 143— 150.
6. Яловец, Т. Н. Образование вакансионных пор при отжиге профилированных кристаллов сапфира / Т. Н. Яловец, В. А. Бородин // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1988. - Т. 24, № 6. - С. 946—949.
7. Wada, K. Growth and characterization of sapphire ribbon crystals / K. Wada, K. Hoshikawa // Shaped crystal growth. Amsterdam, 1980. - P. 151—159.
8. Николаенко, М. В. Газовые включения в монокристаллах сапфира выращенных методом Киропулоса / М. В. Николаенко, Э. В. Еськов, А. Ю. Игнатов // VI Междунар. конф. -Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии-. - Кисловодск ; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. - С. 510.
9. Бородин, В. А. Реальная структура профилированных кристаллах сапфира в связи с условиями выращивания / В. А. Бородин, Т. А. Стериополо, В. А. Татарченко, Т. Н. Яловец, Л. В. Бондаренко // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1985. - Т. 49, № 12. - С. 2380—2385.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back