Journals →  Материалы электронной техники →  2013 →  #2 →  Back

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И МАТЕРИАЛОВ
ArticleName Применение математической модели для сопровождения процесса выращивания кристаллов в многозонных термических установках
ArticleAuthor М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин
ArticleAuthorData

Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН:

М. М. Филиппов

А. И. Грибенюков

В. Е. Гинсар

 

Томский политехнический университет:

Ю. В. Бабушкин

Abstract

Разработана система управления технологическим процессом выращивания кристаллов в многозонной термической установке Бриджмена с интегрированной математической моделью. Описана процедура настройки параметров математической модели. Для работы системы управления использована экспериментальная информация о распределении температуры в установке, а также информация о скорости роста кристалла и положении фронта кристаллизации, полученная расчетным путем. Последовательная коррекция уставок регуляторов многозонной термической установки в процессе выращивания кристалла на основе расчетной информации направлена на снижение отклонений осевой скорости роста кристалла от скорости перемещения ростового контейнера. Представлены результаты вычислительных экспериментов по применению математической модели в составе системы автоматического управления.

keywords Многозонная термическая установка, рост кристаллов, фронт кристаллизации, скорость роста кристалла, метод Бриджмена
References

1. Грибенюков, А. И. Нелинейно−оптические кристаллы ZnGeP2: ретроспективный анализ технологических исследований / А. И. Грибенюков // Оптика атмосферы и океана. − 2002. − Т. 15, № 1. − С. 71—80.
2. Verozubova, G. A. Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals / G. A. Verozubova, A. O. Okunev, A. I. Gribenyukov, A. Yu. Trofimiv, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov // J. Cryst. Growth. − 2010. − V. 312, N 8. − P. 1122—1126.
3. Марков, А. В. Выращивание монокристаллов арсенида галлия с высоким структурным совершенством методом вертикально направленной кристаллизации / А. В. Марков // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2006. − № 6. − С. 16—19.
4. Глазов, В. М. Физико−химические основы легирования полупроводников / В. М. Глазов, В. С. Земсков. − М. : Наука, 1967. − 272 с.
5. Филиппов, М. М. Оценка динамики температурного поля в рабочем объеме вертикальной установки Бриджмена при продольно−осевом перемещении ростового контейнера в процессе выращивания кристаллов / М. М. Филиппов, Ю. В. Бабушкин, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар // Изв. Томского политехн. ун−та. − 2009. − Т. 315, № 2. − C. 104—109.
6. Филиппов, М. М. Алгоритм оценки мощностей нагревательных элементов в многозонной установке для выращивания кристаллов по Бриджмену / М. М. Филиппов, Ю. В. Бабушкин, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар // Там же. − 2009. − Т. 315, № 2. − C. 110—112.
7. Официальный сайт COMSOL Multiphysics [Электронный ресурс]. — режим доступа: http://www.comsol.com/. — 07.05.2011.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back